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MMBTA56数据手册规格书PDF详情
TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
● General Purpose Amplifier Applications
MMBTA56产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBTA56
- 功能描述
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
SOT23 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
|||
ON |
22+ |
9000 |
原装现货 支持实单 |
||||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23 |
300000 |
原装正品 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-323(SC-70) |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT23 |
154388 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
onsemi |
24+ |
SC-70,SOT-323 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
DIODES |
15+ |
原厂原装 |
975000 |
进口原装现货假一赔十 |
|||
DIODES |
2020+ |
SOT23 |
18600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
DIODES |
16+ |
SOT23-3 |
30000 |
原装正品供应B |
|||
ON |
24+ |
SOT-23 |
23000 |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
MMBTA56WT1G 价格
参考价格：￥0.1246
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- 5SMDJ20A
- DC100D20C
- DRA1-CXE240D5R
- ESK106M450AL3AA
- GS81302DT37E-300I
- JMLP2504MYGD-D
- JMSP1303FXGD-D
- JMSP2505MYGD-D
- MMBT2222A
- MMBT2222AT
- MMST4403
- RT9818C-13GYR
- RT9818D-13PQW
- RT9818E-13PYR
- RT9819B-13PYR
- RT9819C-12GY
- RT9819G-12GYR
- RT9819H-49PYR
- RT9833A-46GY
- RT9833G-40GY
- RT9833G-46GY
- RT9833H-36GY
- RT9833H-41GY
MMBTA56 晶体管资料
MMBTA56别名：MMBTA56三极管、MMBTA56晶体管、MMBTA56晶体三极管
MMBTA56生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MMBTA56制作材料：
MMBTA56性质：低频或音频放大 （LF）_通用 （G）
MMBTA56封装形式：
MMBTA56极限工作电压：80V
MMBTA56最大电流允许值：0.5A
MMBTA56最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBTA56引脚数：
MMBTA56最大耗散功率：0.3W
MMBTA56放大倍数：
MMBTA56图片代号：NO
MMBTA56vtest：80
MMBTA56htest：999900
- MMBTA56atest：0.5
MMBTA56wtest：0.3
MMBTA56代换 MMBTA56用什么型号代替：
JIANGSU相关电路图
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- P95
- P96
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 江苏长电科技股份有限公司
中文资料: 3158条
长电科技是全球领先的集成电路制造与技术服务提供商，向全球半导体客户提供全方位、一站式芯片成品制造解决方案，涵盖微系统集成、设计仿真、晶圆中测、芯片及器件封装、成品测试、产品认证以及全球直运等服务。公司在中国、韩国和新加坡拥有八大生产基地和两大研发中心，并在全球设有20多个业务机构，为客户提供紧密的技术合作与高效的产业链支持。 长电科技拥有先进和全面的芯片成品制造技术，包括晶圆级封装（WLP）、2.5D/3D封装、系统级封装（SiP）、倒装芯片封装、引线键合封装及传统封装先进化解决方案，广泛应用于汽车电子、人工智能、高性能计算、高密度存储、网络通信、智能终端、工业与医疗、功率与能源等领域。
