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2N6766	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series FEATURES: • Fast switching times • Low RDS(on) HDMOS™ process • Rugged polysilicon gate cell structure • Excellent high voltage stability • Low input capacitance • Improved high temperature reliability APPLICATIONS: • Switching power supplies • Motor controls • Audio Amplifiers • Invert	IXYS 艾赛斯	IXYS
2N6766	N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION This family of 2N6764, 2N6766, 2N6768 and 2N6770 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications. These devices are also available in a thru hole TO-254AA leaded package. Microsemi also offers numerous other transistor products to	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N6766	N-CHANNEL MOSFET 文件：244.82 Kbytes Page：5 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
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更新时间：2025-11-21 16:39:02

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2023-4-28
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2019-2-26