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2N6438	HIGH-POWERPNPSILICONTRANSISTORS HIGH-POWERPNPSILICONTRANSISTORS ...designedforuseinindustrialpoweramplifiersandswitchingcircuitapplications. FEATURES: HighDCCurrentGainhFE=20-80©lc=10A=12(Min)®lc=25A LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCB(sat)=1.0V(Max.)@lc=10A,IB=1.0A *Complementto	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司
2N6438	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3package •HighDCcurrentgain •Fastswitchingtimes •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6338~2N6341 APPLICATIONS •Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2N6438	HIGHPOWERPNPSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION DesignedforuseinIndustrial-MilitaryPowerAmplifierandSwitchingCircuitApplications	SEME-LAB Seme LAB
2N6438	High-PowerPNPSiliconTransistors 文件：77.7 Kbytes Page：8 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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更新时间：2025-8-1 12:11:01

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2025-6-24
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JUWT1275MPD超级电容/超级电容器2.7volts2.7FaradsRadial
2023-4-28
JW2ASN-DC5V
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2021-9-27
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2020-9-7
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2019-9-12
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2019-2-26