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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelLogicLevelPWMOptimizedUltraFETTrenchPowerMOSFETs

文件:140.13 Kbytes Page:11 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2024-6-11 17:58:01
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