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JME135-16	Chip-doublemesaSCRsofreverseblockinghigh-voltage 文件：179.92 Kbytes Page：3 Pages	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微电江苏捷捷微电子股份有限公司
BD135-16	PowerTransistorsNPNSilicon45,60,80Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
BD135-16	NPNSILICONTRANSISTORS NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司
BD135-16	NPNpowertransistors DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD135-16	NPNSILICONTRANSISTORS 文件：76.42 Kbytes Page：4 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
BD135-16	Complementarylowvoltagetransistor 文件：157.51 Kbytes Page：9 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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更新时间：2025-6-6 17:45:00

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