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JMB363LGAZ0B

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更新时间:2025-8-17 14:16:01
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    一般描述 这是一个十六进制缓冲单片互补金属氧化物半导体(CMOS)的集成电路建与N和P沟道增强型晶体管。该器件的逻辑电平转换只用一个电源电压(VDD).输入信号的高电平(VIH)的可超过VDD供电电压时,器件的逻辑转换。该设备用于为十六进制缓冲,到晶体管逻辑的CMOS/ TTL电转换器或为CMOS电流驱动器的使用,并在VDD= 5.0V时,它可以驱动在整个工作温度两个晶体管逻辑/ TTL负载范围。

    2013-2-28