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POWER TRANSISTORS(1A,80V,25W)

NPN SILICON TRANSISTORS ... designed for driver circuits, switching and amplifier applications. FEATURES * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)=0.6 V (Max.) @ Ic = 1.0 A * Excellent Safe Operating Area * Gain Specified to Ic = 1.0 Amp. * Complement to PNP 2N499.

MOSPECMospec Semiconductor

统懋统懋半导体股份有限公司

MOSPEC

Power Transistors

Power Transistors TO-66 Case

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

Power Transistors

Power Transistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 80V(Min) • Low Collector Saturatioin Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max.)@ IC= 1A • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2N4900 APPLICATIONS • Designed for driver circuits, switching and amplifier application

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

文件:88.72 Kbytes Page:3 Pages

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更新时间:2025-8-5 18:20:01
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