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RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE

RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) InternationalRectifier’sRAD-HardTMHEXFET®technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshavebeen

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英飞凌英飞凌科技公司

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RadiationHardenedPowerMOSFETSurfaceMount(SMD-1)200V,26A,N-channel,RadHardHEXFET™Technology

Features Singleeventeffect(SEE)hardened LowRDS(on) Lowtotalgatecharge Simpledriverequirements Hermeticallysealed Electricallyisolated Ceramiceyelets Lightweight SurfaceMount ESDrating:Class3AperMIL-STD-750,Method1020 PotentialApplications 

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RadiationHardenedPowerMOSFETSurfaceMount(SMD-1)200V,26A,N-channel,RadHardHEXFET™Technology

Features Singleeventeffect(SEE)hardened LowRDS(on) Lowtotalgatecharge Simpledriverequirements Hermeticallysealed Electricallyisolated Ceramiceyelets Lightweight SurfaceMount ESDrating:Class3AperMIL-STD-750,Method1020 PotentialApplications 

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RadiationHardenedPowerMOSFETSurfaceMount(SMD-1)200V,26A,N-channel,RadHardHEXFET™Technology

Features Singleeventeffect(SEE)hardened LowRDS(on) Lowtotalgatecharge Simpledriverequirements Hermeticallysealed Electricallyisolated Ceramiceyelets Lightweight SurfaceMount ESDrating:Class3AperMIL-STD-750,Method1020 PotentialApplications 

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IRF
更新时间:2024-4-20 8:50:03
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
TO-254
15000
原装现货假一赔十
IR
2022+
15
只做原装,价格优惠,长期供货。
IR
18+
NA
360
以质为本,只做原装正品
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
IR
22+23+
BGA
20415
绝对原装正品全新进口深圳现货
IR
22+
N/A
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
HARRIS
24+25+/26+27+
CAN-3
18800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IR
23+
N/A
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
IR
N/A
N/A
100
军工品,原装正品
IR
23+
TO-254
8000
原装正品,假一罚十

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    2013-1-25