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Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications

Description The 1N5711, 1N5712, 5082-2800/10/11 are passivated Schottky barrier diodes which use a patented “guard ring” design to achieve a high breakdown voltage. Packaged in a low cost glass package, they are well suited for high level detecting, mixing, switching, gating, log or A-D conv

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷伦科技安捷伦科技有限公司

HP

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

FEATURES ◇ Metal-to-silicon junction ◇ High breakdown voltage ◇ Low turn-on voltage ◇ Ultrafast switching speed ◇ Prmarly intended for high level UHF/VHF detection and pulse applications with broad dynamic range

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

FEATURES • Metal-on-silicon junction • High breakdown voltage • Low turn-on voltage • Ultrafast switching speed • Primarily intended for high level UHF/VHF detectionand pulse applications with broad dynamic range • The diode is also available in the MiniMELF case with type designation LL5

JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd

晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司

JINANJINGHENG

SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT Qualified per MIL-PRF-19500/444

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications

Description/Applications The 1N5711, 1N5712, 5082-2800/10/11 are passivated Schottky barrier diodes which use a patented “guard ring” design to achieve a high breakdown voltage. Packaged in a low cost glass package, they are well suited for high level detecting, mixing, switching, gating, log or

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
更新时间:2025-8-5 18:32:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2013-1-25