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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
JANS1N5711 | SCHOTTKY BARRIER DIODES • 1N5711-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/444 • 1N5712-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/445 • SCHOTTKY BARRIER DIODES • HERMETICALLY SEALED • METALLURGICALLY BONDED | CDI-DIODE |   | |
SCHOTTKY BARRIER DIODES • 1N5711-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/444 • 1N5712-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/445 • SCHOTTKY BARRIER DIODES • HERMETICALLY SEALED • METALLURGICALLY BONDED | CDI-DIODE | | ||
SCHOTTKY BARRIER DIODES SCHOTTKY BARRIER DIODES – LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT – METALLURGICALLY BONDED – DOUBLE PLUG CONSTRUCTION Qualified per MIL-PRF-19500/444 | Microsemi 美高森美 | | ||
封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向 包装：散装 描述：SMALL-SIGNAL SCHOTTKY 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | Microchip 微芯科技 | | ||
封装/外壳：4-SMD，无引线 包装：散装 描述：SCHOTTKY DIODE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | Microchip 微芯科技 | | ||
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE DESCRIPTION Metal to silicon junction diode featuring high breakdown, low turn-on voltage and ultrafast switching. Primarly intended for high level UHF/VHF detection and pulse application with broad dynamic range. Matched batches are available on request. | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
SCHOTTKY BARRIER DIODES • 1N5711-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/444 • 1N5712-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/445 • SCHOTTKY BARRIER DIODES • HERMETICALLY SEALED • METALLURGICALLY BONDED | CDI-DIODE | | ||
SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE Features ● Ultra-Fast Switching Speed ● High Reverse Breakdown Voltage ● Low Forward Voltage Drop ● Guard Ring Junction Protection | DIODES 美台半导体 | | ||
Schottky Diodes Features • For general purpose applications • Metal-on-silicon Schottky barrier device which is protected by a PN junction guard ring. The low for ward voltage drop and fast switching make it ideal for protection of MOS devices, steering, biasing and coupling diodes for fast swit | GE GE Industrial Company | | ||
Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications Description The 1N5711, 1N5712, 5082-2800/10/11 are passivated Schottky barrier diodes which use a patented “guard ring” design to achieve a high breakdown voltage. Packaged in a low cost glass package, they are well suited for high level detecting, mixing, switching, gating, log or A-D conv | HP 安捷伦科技 | |
JANS1N5711产品属性
- 类型
描述
- 型号
JANS1N5711
- 制造商
Microsemi Corporation
- 功能描述
SCHOTTKY RECTIFIER - Waffle Pack
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
1512+;1350+ |
SMD |
360 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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Microchip Technology |
25+ |
UB |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
QQ咨询 |
SMD |
1483 |
全新原装 研究所指定供货商 |
|||
MICROCHIP(美国微芯) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
||||
CDI-DIODE |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
MICROSEMI |
23+ |
SMD |
360 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
SMD |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
JANS1N5711规格书下载地址
JANS1N5711参数引脚图相关
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2019-3-7JAN9715K-负固定电压稳压器
而负调控SG7900A/SG7900系列提供自成体系，固定电压能力高达1.5A的负载电流。随着各种输出电压和四个封装选择这个系列稳压器是一种最佳补充，SG7800A/SG7800，SG140的三线终端稳压器。这些单位具有独特的带隙基准，允许SG7900A系列被指定为±1.5％输出电压容差。该SG7900A版本还提供大为改善的线路调节特性。热关断保护功能全，电流限制和安全区控制被设计到这些单位和监管机构，因为这些只需要一个单一的输出电容（SG7900系列）或电容和5毫安最小负载令人满意的性能（SG120系列），便于应用是有保证的。虽然作为固定电压稳压器设计，输出电压可通过增加一个简单的分压器使用
2013-1-25JAN723F-精密稳压器
说明 这种单片稳压器是专为无论是正面的使用或作为一个系列，分流，交换，或浮动稳压负电源与电流高达150mA。目前的要求可能会更高容纳通过外部NPN或PNP功率使用晶体管。这个装置包括一个温度补偿参考放大器，误差放大器，电源系列传输晶体管，电流限制和远程关断电路。该SG723将在整个军事工作环境温度范围-55° C至125° C。 特点 °正或负电源供电 ·系列，分流，交换或浮动操作 ·低电压和负载调节 ·输出可调从2V至37V ·输出电流至150 mA ·低待机漏电流
2013-1-25
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