位置:MWI35-12A7T > MWI35-12A7T详情
MWI35-12A7T中文资料
MWI35-12A7T产品属性
- 类型
描述
- 型号
MWI35-12A7T
- 功能描述
IGBT 模块 35 Amps 1200V
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间:2024-4-20 14:14:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
E2 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IXYS |
19+/20+ |
E2 |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
MODULE |
1570 |
原装正品,价格优势 |
|||
IXYS |
2022 |
E2 |
58 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
|||
IXYS |
23+ |
MODIGBTSIXPACKRBSOA1200V |
1690 |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
|||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IXYS |
62A/1200V/MOSFET |
1800 |
模块专业分销商!原装正品!价格绝对优势! |
||||
IXYS |
2023+ |
MODULE |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
IXYS |
18+ |
2173 |
公司大量全新正品 随时可以发货 |
||||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
MWI35-12A7T 资料下载更多...
MWI35-12A7T 芯片相关型号
- AME8500BEETBD24
- AME8500BEFVBD24
- AME8500CEFVBD24
- AME8501AEEVAD24
- AME8501CEETAD24
- MCH182A103DL
- MCH182CN103LL
- MCH183AN103LL
- MCH183FN103CL
- MCH183FN103LL
- MCH184A103CL
- MCH185A103CL
- MCH185AN103ZK
- MCH185CN103LL
- MCH185FN103CL
- MSC1212Y2
- MSC1212Y5PAGR
- MSP430F122IPW
- MT9173AE
- MT9173AN
- MT9174AE
- MX-1616
- MX-1616C
- NA72
- NAND01GW4A0AN6E
- NAND128W4A0AN6E
- NAND256W4A2AN6E
- NAND512R3A2BN6E
- NE5534ADR
- NE76000L
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80