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MKE38RK600DFELB-TRR中文资料

厂家型号

MKE38RK600DFELB-TRR

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386.79Kbytes

页面数量

6

功能描述

Surface Mount Power Device

IGBT 晶体管 CoolMOS Power MOSFET

数据手册

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简称

IXYS

生产厂商

IXYS Corporation

中文名称

官网

LOGO

MKE38RK600DFELB-TRR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MKE38RK600DFELB-TRR

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 CoolMOS Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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IXYS Corporation

中文资料: 8734条

IXYS Corporation是一家知名的半导体公司,成立于1983年,总部位于美国加利福尼亚州。IXYS专注于开发和制造高性能的功率半导体和集成电路,广泛应用于电力电子、工业控制、通信、可再生能源和汽车等领域。 公司以其丰富的产品线而闻名,包括可控硅、IGBT(绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、高压二极管和电力模块等。这些产品以高效能、可靠性和先进的技术设计为特点,帮助客户提升系统的性能和能源效率。 IXYS始终重视研发,致力于推动功率电子技术的前沿。通过不断的创新和改进,IXYS能够满足不同行业对高性能和高效率电源解决方案的需求。此外,公司还提供全面的技术支持和服务