位置:L356 > L356详情
L356中文资料
L356数据手册规格书PDF详情
Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
• Low cathode to tab capacitance (<25pF)
• International standard package
• Planar passivated chips
• Very short recovery time
• Extremely low switching losses
• Low IRM-values
• Soft recovery behaviour
• Epoxy meets UL 94V-0
• Isolated and UL registered E153432
Applications
• Antiparallel diode for high frequency switching devices
• Antisaturation diode
• Snubber diode
• Free wheeling diode in converters and motor control circuits
• Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS)
• Inductive heating
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Ultrasonic cleaners and welders
L356产品属性
- 类型
描述
- 型号
L356
- 制造商
IXYS
- 制造商全称
IXYS Corporation
- 功能描述
HiPerDynFRED Epitaxial Diode with soft recovery
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
MOT |
22+ |
CDIP-8 |
5000 |
原装现货库存.价格优势!! |
|||
LITEON/光宝 |
23+ |
SOP4 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
LITEON/光宝 |
24+ |
NA/ |
18888 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
LITEON/光宝 |
24+ |
SOP4 |
60000 |
||||
SANYO |
24+ |
70 |
|||||
ST |
23+ |
SSOP16 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
ST/意法 |
23+ |
14SOP |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
FUJISTU |
24+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
||||
FUJI |
模块 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
L356 资料下载更多...
L356 芯片相关型号
- AME8500BEFVAE23
- AME8500CEETBE23
- AME8501AEFVBE23
- AME8501CEEVBE23
- DSEK60
- FMD80-0045PS
- IRKC166-12
- IRKD196-12
- IRKE236-12
- IRKJ236/14
- IRKN71/14A
- IRKN91-12A
- KP-32162SYD
- KPT-2012SGC
- L-113EDT
- L-113GDT
- L182
- L258
- L508
- MCC162-08IO1
- MWI200-06A8
- NAND01GR4A0BV1E
- NAND128R4A0BV1E
- NAND256R4A0BV1E
- NAND512W4A2AV1E
- SKKT19/08D
- SKKT19/16E
- SKKT20B08D
- SKKT20B12E
- VYK70-16IO7
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
IXYS Corporation
IXYS Corporation是一家知名的半导体公司,成立于1983年,总部位于美国加利福尼亚州。IXYS专注于开发和制造高性能的功率半导体和集成电路,广泛应用于电力电子、工业控制、通信、可再生能源和汽车等领域。 公司以其丰富的产品线而闻名,包括可控硅、IGBT(绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、高压二极管和电力模块等。这些产品以高效能、可靠性和先进的技术设计为特点,帮助客户提升系统的性能和能源效率。 IXYS始终重视研发,致力于推动功率电子技术的前沿。通过不断的创新和改进,IXYS能够满足不同行业对高性能和高效率电源解决方案的需求。此外,公司还提供全面的技术支持和服务