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IXTZ550N055T2中文资料

厂家型号

IXTZ550N055T2

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211.07Kbytes

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6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

MOSFET 550Amps 55V

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTZ550N055T2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTZ550N055T2

  • 功能描述

    MOSFET 550Amps 55V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
DE475
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IXYS
22+
DE475
9000
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IXYS
23+
ISOPLUS220
1855
全新原装正品现货,支持订货
IXYS
原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
IXYS
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TO-220
5000
全现原装公司现货