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IXTP3N120中文资料

厂家型号

IXTP3N120

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102.19Kbytes

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4

功能描述

High Voltage Power MOSFETs

MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTP3N120数据手册规格书PDF详情

Features

● International standard packages

● Low RDS (on)

● Rated for unclamped Inductive load Switching (UIS)

● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Advantages

● Easy to mount

● Space savings

● High power density

IXTP3N120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTP3N120

  • 功能描述

    MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-1 10:28:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-220
10054
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
IXYS
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TO-220
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IXYS
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IXYS
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TO-220AB
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IXTP3N120 价格

参考价格:¥18.9124

型号:IXTP3N120 品牌:IXYS 备注:这里有IXTP3N120多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXTP3N120批发/采购报价,IXTP3N120行情走势销售排排榜,IXTP3N120报价。