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IXTJ4N150中文资料

厂家型号

IXTJ4N150

文件大小

160.02Kbytes

页面数量

5

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

MOSFET High Voltage Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTJ4N150产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTJ4N150

  • 功能描述

    MOSFET High Voltage Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-3 14:43:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-247
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
25+
TO-247
326
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IXYS
22+
TO2473
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247ISO
59620
原装正品 华强现货
IXYS
23+
TO3PL
7000
IXYS
23+
TO-3PL
5000
原装正品,假一罚十
IXYS
25+
TO-3PL
18000
原厂直接发货进口原装
IXYS
23+
TO3PL
8000
只做原装现货
IXYS
24+
TO-264
8866
IXYS
NA
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

IXTJ4N150 价格

参考价格:¥31.7255

型号:IXTJ4N150 品牌:Ixys 备注:这里有IXTJ4N150多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXTJ4N150批发/采购报价,IXTJ4N150行情走势销售排排榜,IXTJ4N150报价。