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IXTH76N25T中文资料

厂家型号

IXTH76N25T

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6

功能描述

Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTH76N25T数据手册规格书PDF详情

IXTH76N25T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTH76N25T

  • 功能描述

    MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 19:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
25+
原装
32360
IXYS/艾赛斯全新特价IXTH76N25T即刻询购立享优惠#长期有货
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