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IXTH182N055T中文资料

厂家型号

IXTH182N055T

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2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTH182N055T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTH182N055T

  • 功能描述

    MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
1503+
TO-247
3000
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IXYS
22+
TO2473
9000
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IXYS
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12300
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IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
6000
原装正品,支持实单
IXYS/艾赛斯
2022+
TO-247
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
IXYS
24+
TO-247
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NA
19960
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IXYS
20+
TO-247
36900
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IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
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IXYS/艾赛斯
23+
TO-247HV
325680
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