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位置：IXTA6N100D2 > IXTA6N100D2详情

IXTA6N100D2中文资料

IXTA6N100D2
厂家型号

IXTA6N100D2
文件大小

190.36Kbytes
页面数量

5页
功能描述

Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET

MOSFET N-CH MOSFETS(D2) 1000V 6A
数据手册

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生产厂商

IXYS

相近规格书

IXTA6N100D2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTA6N100D2

  • 功能描述

    MOSFET N-CH MOSFETS(D2) 1000V 6A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IXTA6N100D2供应商...

更新时间：2025-10-10 8:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳和润天下电子科技有限公司
IXTA6N100D2HV
IXYS/艾赛斯
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IXYS(艾赛斯)
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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深圳市润联芯城科技有限公司
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IXYS/艾赛斯
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IXTA6N50D2
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IXTA6N50D2
IXYS
23+
TO-263
7000
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IXTA6N100D2 价格

参考价格：￥19.2489

型号：IXTA6N100D2 品牌：IXYS 备注：这里有IXTA6N100D2多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXTA6N100D2批发/采购报价，IXTA6N100D2行情走势销售排排榜，IXTA6N100D2报价。

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