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IXTA2R4N120P中文资料

厂家型号

IXTA2R4N120P

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6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTA2R4N120P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTA2R4N120P

  • 功能描述

    MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-14 14:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
23+
TO-263-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IXYS
25+
TO-263
326
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IXYS
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
19+
TO-263
336
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS
23+
TO-263
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO-263
7000
IXYS
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
IXYS/艾赛斯
24+
TO-263
60000
全新原装现货
IXYS/Littelfuse
23+
TO-263
15800
全新原装正品现货直销