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IXTA180N055T中文资料

厂家型号

IXTA180N055T

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功能描述

Trench Gate Power MOSFET

MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTA180N055T数据手册规格书PDF详情

Trench Gate Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Features

• International standard packages

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

IXTA180N055T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTA180N055T

  • 功能描述

    MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-26 16:43:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
23+
TO-263-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IXYS
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
23+
TO-263
6000
原装正品,假一罚十
IXYS
25+
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只做原装现货
IXYS
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IXYS
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IXYS
23+
TO-263
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IXYS
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