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IXSH10N60B2D1中文资料

IXSH10N60B2D1
厂家型号

IXSH10N60B2D1
文件大小

517.22Kbytes
页面数量

6页
功能描述

High Speed IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability

IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds
数据手册

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生产厂商

IXYS

相近规格书

IXSH10N60B2D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXSH10N60B2D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IXSH10N60B2D1供应商...

更新时间：2025-12-1 10:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市河锋鑫科技有限公司
IXSH10N60B2D1
IXYS/艾赛斯
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IXSH10N60B2D1 价格

参考价格：￥18.2398

型号：IXSH10N60B2D1 品牌：IXYS Corp 备注：这里有IXSH10N60B2D1多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXSH10N60B2D1批发/采购报价，IXSH10N60B2D1行情走势销售排排榜，IXSH10N60B2D1报价。

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