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IXGX82N120B3中文资料

厂家型号

IXGX82N120B3

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6

功能描述

GenX3 1200V IGBTs

IGBT 晶体管 GenX3 1200V IGBTs

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGX82N120B3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGX82N120B3

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 GenX3 1200V IGBTs

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-247
326
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IXYS
22+
PLUS247?3
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
25+
TO-247-3 变式
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IXYS
24+
8-PDIP
65200
一级代理/放心采购
IXYS
25+
8-PDIP
4258
原装正品 价格优势
IXYS
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
IXYS/艾赛斯
23+
21368
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS艾赛斯
1627+
DIP8
202
代理品牌