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IXGT32N90B2D1中文资料

厂家型号

IXGT32N90B2D1

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7

功能描述

HiPerFAST IGBT with Fast Diode

IGBT 晶体管 32 Amps 900V 2.7 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGT32N90B2D1数据手册规格书PDF详情

B2-Class High Speed IGBTs with Ultrafast Diode

Features

• High frequency IGBT

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• PFC circuits

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Advantages

• High power density

• Very fast switching speeds for high

frequency applications

IXGT32N90B2D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGT32N90B2D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 32 Amps 900V 2.7 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
1809+
TO-268
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