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IXGT15N120BD1中文资料

厂家型号	IXGT15N120BD1
文件大小	56.1Kbytes
页面数量	2页
功能描述	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds
数据手册	下载地址一下载地址二
生产厂商	IXYS Integrated Circuits Division
简称	IXYS
中文名称	官网
LOGO

相近规格书

IXGT15N120BD1产品属性

类型
描述
型号
IXGT15N120BD1
功能描述
IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

IXGT15N120BD1供应商...

更新时间：2024-4-23 17:29:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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Datasheet数据表PDF页码索引

IXYS Integrated Circuits Division

中文资料: 8686条

作为固态继电器(SSR)的开发先驱，该公司已成为电信、安防、公用事业计量和工业控制行业的领先供应商。IXYSIntegratedCircuitsDivision的解决方案在很多应用中迅速取代了原有的机电器件，并增强了系统总体性能。他们将继续开发具有更高的集成度和电气性能的领先产品。1、通讯：开发应用于这一领域的ASIC和ASSP电路，以适应Internet应用对带宽的更大需求，如数据通讯和网络。2、通信：接口器件、连结方案，应用于远程办公设备。3、自动检测设备