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IXGP50N60C4中文资料

厂家型号

IXGP50N60C4

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6

功能描述

High-Gain IGBTs

IGBT 模块 High Gain IGBTs

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGP50N60C4数据手册规格书PDF详情

High-Speed PT Trench IGBT

Features

Optimized for Low Switching Losses

International Standard Packages

Square RBSOA

IXGP50N60C4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGP50N60C4

  • 功能描述

    IGBT 模块 High Gain IGBTs

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-14 10:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
TO-220
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO-220
7000
IXYS
22+
TO220F
8000
原装正品支持实单
IXYS
TO-220F
8006
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
IXYS
23+
TO-220F
5000
原装正品,假一罚十
IXYS
25+
TO-220
9500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
IXYS
25+
TO-220
1675
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