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IXGH28N140B3H1中文资料

厂家型号

IXGH28N140B3H1

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206.55Kbytes

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7

功能描述

GenX3 1400V IGBTs w/ Diode

IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGH28N140B3H1数据手册规格书PDF详情

Features

• Optimized for Low Conduction and

Switching Losses

• Square RBSOA

• Avalanche Rated

• Anti-Parallel Ultra Fast Diode

• High Current Handling Capability

Advantages

• High Power Density

• Low Gate Drive Requirement

Applications

• Power Inverters

• UPS

• Motor Drives

• SMPS

• PFC Circuits

• Battery Chargers

• Welding Machines

IXGH28N140B3H1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH28N140B3H1

  • 功能描述

    IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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