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IXGH15N120BD1中文资料

厂家型号

IXGH15N120BD1

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功能描述

Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode

IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGH15N120BD1数据手册规格书PDF详情

Features

• International standard packages : JEDEC TO-247AD & TO-268

• IGBT and anti-parallel FRED in one package

• MOS Gate turn-on - drive simplicity

• Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED) - soft recovery with low I RM

IXGH15N120BD1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH15N120BD1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-12 15:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
18+
TO-247
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
IXYS
25+
TO-247
3000
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IXYS
2015
模块
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IXYS
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TO-247
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IXYS
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TO3P
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IXYS
23+
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IXYS
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TO-247
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IXYS
14+
TO3P
13957
IXYS
22+
TO247AD (IXGH)
9000
原厂渠道,现货配单