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IXFX30N50Q中文资料

厂家型号

IXFX30N50Q

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114.2Kbytes

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4

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXFX30N50Q数据手册规格书PDF详情

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt

Features

● IXYS advanced low Qg process

● Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

● International standard packages

● Low RDS (on)

● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Advantages

● PLUS 247™ package for clip or spring mounting

● Space savings

● High power density

IXFX30N50Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFX30N50Q

  • 功能描述

    MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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