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IXFX26N60Q中文资料

厂家型号

IXFX26N60Q

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2

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXFX26N60Q数据手册规格书PDF详情

Features

● Low gate charge

● International standard packages

● Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification

● Low RDS (on) HDMOSTM process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Avalanche energy and current rated

● Fast intrinsic Rectifier

Advantages

● Easy to mount

● Space savings

● High power density

IXFX26N60Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFX26N60Q

  • 功能描述

    MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-247
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IXYS
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