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IXFV18N60P中文资料

厂家型号

IXFV18N60P

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5

功能描述

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

MOSFET 600V 18A

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXFV18N60P数据手册规格书PDF详情

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated

Features

• International standard packages

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Low package inductance - easy to drive and to protect

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

IXFV18N60P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFV18N60P

  • 功能描述

    MOSFET 600V 18A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 14:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IXYS
22+
TO2203 Short Tab
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
25+
PLUSTO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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