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IXFR21N100Q中文资料

厂家型号

IXFR21N100Q

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38.01Kbytes

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2

功能描述

HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface)

MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXFR21N100Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFR21N100Q

  • 功能描述

    MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-1 8:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247I
59620
原装正品 华强现货
IXYS
25+
TO-247
326
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IXYS
22+
ISOPLUS247?
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
25+
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12300
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IXYS
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS
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IXYS
原厂封装
9800
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NA
3000
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IXYS/艾赛斯
23+
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IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
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IXYS(艾赛斯)全系列在售