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IXFM12N90中文资料

厂家型号

IXFM12N90

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8

功能描述

HIPERFET Power MOSFTETs

MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXFM12N90数据手册规格书PDF详情

HiPerFETs

The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

IXFM12N90产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFM12N90

  • 功能描述

    MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-30 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-3
536
IXYS
05+
原厂原装
4284
只做全新原装真实现货供应
IXYS
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IXYS/艾赛斯
23+
TO-264 PLUS
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原装正品 华强现货
IXYS/艾赛斯
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6000
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