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IXFK80N20Q中文资料

厂家型号

IXFK80N20Q

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2

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXFK80N20Q数据手册规格书PDF详情

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg

Features

• Low gate charge

• International standard packages

• EpoxymeetUL94V-0, flammability classification

• Low RDS (on) HDMOSTM process

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic Rectifier

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

IXFK80N20Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFK80N20Q

  • 功能描述

    MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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