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IXFK35N50中文资料

厂家型号

IXFK35N50

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2

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs

MOSFET 35 Amps 500V 0.15 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXFK35N50数据手册规格书PDF详情

HiPerFET Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr

Features

• International standard packages

• Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

• Low RDS (on) HDMOSTM process

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Fast intrinsic rectifier

Applications

• DC-DC converters

• Synchronous rectification

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• DC choppers

• Temperature and lighting controls

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

IXFK35N50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFK35N50

  • 功能描述

    MOSFET 35 Amps 500V 0.15 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-26 16:00:00
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