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IXFH6N100中文资料

厂家型号

IXFH6N100

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4

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs

MOSFET 1KV 6A

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXFH6N100数据手册规格书PDF详情

HiPerFETs

The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

IXFH6N100产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFH6N100

  • 功能描述

    MOSFET 1KV 6A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-29 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
17+
TO-247
31518
原装正品 可含税交易
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
65493
原装正品 华强现货
IXYS
25+
TO-247
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
18+
TO-247AD
41200
原装正品,现货特价
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS
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IXYS
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IXFH6N100Q 价格

参考价格:¥32.7319

型号:IXFH6N100Q 品牌:IXYS 备注:这里有IXFH6N100多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXFH6N100批发/采购报价,IXFH6N100行情走势销售排排榜,IXFH6N100报价。