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IXFH12N80P中文资料

厂家型号

IXFH12N80P

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176.36Kbytes

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5

功能描述

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

MOSFET DIODE Id12 BVdass800

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXFH12N80P数据手册规格书PDF详情

N-Channel Enhancement Mode

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

IXFH12N80P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFH12N80P

  • 功能描述

    MOSFET DIODE Id12 BVdass800

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-2 8:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
56230
原装正品 华强现货
IXYS
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100%原装正品现货
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