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IXDP35N60B中文资料

厂家型号

IXDP35N60B

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4

功能描述

IGBT with optional Diode

IGBT 晶体管 35 Amps 600V

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXDP35N60B数据手册规格书PDF详情

High Speed, Low Saturation Voltage

Features

● NPT IGBT technology

● low switching losses

● low tail current

● no latch up

● short circuit capability

●positive temperature coefficient for easy paralleling

● MOS input, voltage controlled

● optional ultra fast diode

● International standard package

Typical Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninteruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

IXDP35N60B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXDP35N60B

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 35 Amps 600V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-14 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-220
8866
IXYS
25+
TO-220
326
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IXYS
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
25+
TO-220-3
9350
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IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
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IXYS
24+
18-DIP
35200
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IXYS
23+
DIP
8000
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IXYS
23+
DIP
7000
IXYS
20+
DIP18
35830
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS
22+
DIP18
8000
原装正品支持实单