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IXDD609D2TR中文资料

厂家型号

IXDD609D2TR

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322.52Kbytes

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14

功能描述

9A Peak Source/Sink Drive Current

MOSFET 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXDD609D2TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXDD609D2TR

  • 功能描述

    MOSFET 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-6 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
2447
DFN-8-EP(5x4)
315000
2000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
IXYS
25+
DFN-8
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20+
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7800
公司现货,提供拆样技术支持
IXYS
25+
8-DFN-EP5x4
4258
原装正品 价格优势
IXYS/Littelfuse
23+
DFN-8-EP
15800
全新原装正品现货直销
IXYS(艾赛斯)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

IXDD609D2TR 价格

参考价格:¥4.7943

型号:IXDD609D2TR 品牌:IXYS Integrated Circuits 备注:这里有IXDD609D2TR多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXDD609D2TR批发/采购报价,IXDD609D2TR行情走势销售排排榜,IXDD609D2TR报价。