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IXBH5N160G中文资料

厂家型号

IXBH5N160G

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2

功能描述

Monolithic Bipolar MOS Transistor

IGBT 晶体管 5 Amps 1600V

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXBH5N160G数据手册规格书PDF详情

High Voltage BIMOSFET™

Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features

• High Voltage BIMOSFETTM

- substitute for high voltage MOSFETs

with significantly lower voltage drop

- MOSFET compatible control

10 V turn on gate voltage

- fast switching for high frequency

operation

- reverse conduction capability

• industry standard package

- TO-220AB

- TO-247AD

epoxy meets UL94V-0

Applications

• switched mode power supplies

• DC-DC converters

• resonant converters

• lamp ballasts

• laser generators, x ray generators

IXBH5N160G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXBH5N160G

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 5 Amps 1600V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-1 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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TO-247/TO-3P
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IXYS
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原厂原装正品

IXBH5N160G 价格

参考价格:¥20.0104

型号:IXBH5N160G 品牌:Ixys 备注:这里有IXBH5N160G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXBH5N160G批发/采购报价,IXBH5N160G行情走势销售排排榜,IXBH5N160G报价。