位置:HTZ110A19K > HTZ110A19K详情
HTZ110A19K中文资料
HTZ110A19K数据手册规格书PDF详情
High Voltage Diode Rectifier Module IF(AV) = 3.5 A VRRM = 25000 V
HTZ110A19K产品属性
- 类型
描述
- 型号
HTZ110A19K
- 功能描述
分立半导体模块 4 Amps 19000V
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
Thyristor Power Modules
- 类型
Phase Controls
- 安装风格
Screw
- 封装/箱体
DT61
更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
25+ |
模块 |
7 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS |
22+ |
Module |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
25+ |
模块 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
HTZ110A19K 资料下载更多...
HTZ110A19K 芯片相关型号
- AME8500AEFVBE23
- AME8500CEETCE23
- AME8501BEETBE27
- DSP25-16AR
- IRKC166-14
- IRKC196-14
- IRKD236-14
- IRKH91-14A
- IRKJ196/14
- IRKL71-10A
- IRKL91-14A
- IRKN91-10A
- KP-3216SGD
- KPT-2012SGD
- L081
- L-113SRDT
- L566
- LBAT54C
- LC876764C
- NAND01GR3A0BV1E
- NAND01GW4A2AV1E
- NAND128W3A2AV1E
- NAND128W4A2AV1E
- NAND256R3A2BV1E
- NAND256W3A2AV6F
- NAND512R3A2BV1E
- SKKT19/14E
- VBO50-14NO7
- VUO120-12NO1
- X46402V8E-3.1A
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105