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IS61NLP12836B-200TQ中文资料

厂家型号

IS61NLP12836B-200TQ

文件大小

528.09Kbytes

页面数量

29

功能描述

128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 STATE BUS SRAM

静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

数据手册

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生产厂商

ISSI

IS61NLP12836B-200TQ数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The 4 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 128K words by 32 bits, 128K words by 36 bits, and 256K words by 18 bits, fabricated with ISSIs advanced CMOS technology.

FEATURES

• 100 percent bus utilization

• No wait cycles between Read and Write

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control

• Single R/W (Read/Write) control pin

• Clock controlled, registered address, data and control

• Interleaved or linear burst sequence control using MODE input

• Three chip enables for simple depth expansion and address pipelining

• Power Down mode

• Common data inputs and data outputs

• CKE pin to enable clock and suspend operation

• JEDEC 100-pin TQFP, 165-ball PBGA and 119- ball PBGA packages

• Power supply:

NVP: Vdd 2.5V (± 5), Vddq 2.5V (± 5)

NLP: Vdd 3.3V (± 5), Vddq 3.3V/2.5V (± 5)

• Industrial temperature available

• Lead-free available

IS61NLP12836B-200TQ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS61NLP12836B-200TQ

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-23 10:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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