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IS61LV12816L-10BLI中文资料

厂家型号

IS61LV12816L-10BLI

文件大小

112.45Kbytes

页面数量

16

功能描述

128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

静态随机存取存储器 2Mb 128Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

数据手册

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生产厂商

ISSI

IS61LV12816L-10BLI数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV12816L is a high-speed, 2,097,152-bit static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.

FEATURES

• High-speed access time: 8, 10 ns

• Operating Current: 50mA (typ.)

• Stand by Current: 700µA (typ.)

• TTL and CMOS compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

• Fully static operation: no clock or refresh required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Lead-free available

IS61LV12816L-10BLI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS61LV12816L-10BLI

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 2Mb 128Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-22 10:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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