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IS45S32400E-6BLA1中文资料

厂家型号

IS45S32400E-6BLA1

文件大小

895.21Kbytes

页面数量

60

功能描述

4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

动态随机存取存储器 128M(4Mx32) 166MHz S动态随机存取存储器 3.3v

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

简称

ISSI北京矽成

生产厂商

Integrated Silicon Solution Inc

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

LOGO

IS45S32400E-6BLA1数据手册规格书PDF详情

OVERVIEW

ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. The 128Mb SDRAM is organized in 1Meg x 32 bit x 4 Banks.

FEATURES

• Clock frequency: 166, 143, 133 MHz

• Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge

• Internal bank for hiding row access/precharge

• Single Power supply: 3.3V + 0.3V

• LVTTL interface

• Programmable burst length – (1, 2, 4, 8, full page)

• Programmable burst sequence: Sequential/Interleave

• Auto Refresh (CBR)

• Self Refresh

• 4096 refresh cycles every 16ms (A2 grade) or 64 ms (Commercial, Industrial, A1 grade)

• Random column address every clock cycle

• Programmable CAS latency (2, 3 clocks)

• Burst read/write and burst read/single write operations capability

• Burst termination by burst stop and precharge command

IS45S32400E-6BLA1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS45S32400E-6BLA1

  • 功能描述

    动态随机存取存储器 128M(4Mx32) 166MHz S动态随机存取存储器 3.3v

  • RoHS

  • 制造商

    ISSI

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织

    1 M x 16

  • 封装/箱体

    SOJ-42

  • 存储容量

    16 MB

  • 访问时间

    50 ns

  • 电源电压-最大

    7 V

  • 电源电压-最小

    - 1 V

  • 最大工作电流

    90 mA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Integrated Silicon Solution Inc 北京矽成半导体有限公司

中文资料: 8583条

北京矽成半导体有限公司(简称ISSI)成立于1988年,是全球技术领先的集成电路设计企业,2020年被北京君正并购,目前为北京君正集成电路股份有限公司全资子公司。 北京矽成(ISSI)专注于高性能、高品质、高可靠性的各类存储芯片(DRAM, SRAM, Flash等)的研发、设计和销售,另有子品牌LUMISSIL专注于模拟混合信号芯片的研发和销售。产品主要面向全球汽车电子、工业、医疗、网络通信及特定消费类市场。 北京矽成(ISSI)致力于为客户提供更长生命周期的高品质产品。公司通过了ISO 9001、ISO 14001认证,同时合作伙伴全部通过IATF 16949认证。所有车规级产品全部通过A