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ZTX605中文资料

厂家型号

ZTX605

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311.63Kbytes

页面数量

3

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

达林顿晶体管 NPN Darlington

数据手册

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生产厂商

ISC

ZTX605数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 120V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1A

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier,high speed switching and

regulated power supply applications.

ZTX605产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ZTX605

  • 功能描述

    达林顿晶体管 NPN Darlington

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-1-31 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES(美台)
24+
TO-92
3727
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
DIODES/美台
24+
N/A
500000
美台原厂超低价支持
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E-线
5810
只做原装正品
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24+
37000
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ZTX605 价格

参考价格:¥2.2883

型号:ZTX605 品牌:Diodes 备注:这里有ZTX605多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,ZTX605批发/采购报价,ZTX605行情走势销售排排榜,ZTX605报价。