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YG971S8R中文资料
YG971S8R数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Ultrafast Recovery Time
·Low Forward Voltage
·Low Leakage Current
·150℃ Operating Junction Temperature
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in switching power supplies, inverters and
as free wheeling diodes.
YG971S8R产品属性
- 类型
描述
- 型号
YG971S8R
- 制造商
FUJI
- 制造商全称
Fuji Electric
- 功能描述
Low-Loss Fast Recovery Diode
更新时间：2025-5-22 10:02:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI/富士电机 |
17+ |
TO-220AB |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
FUJI进口原 |
17+ |
TO220F-3 |
6200 |
||||
FSUJTSU |
2016+ |
TO-220 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
FUJITSU |
2020+ |
TO220 |
5430 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
FUJI |
20+ |
TO220F-3 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
FUJITSU/富士通 |
23+ |
TO-220F-2 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FUJITSU/富士通 |
23+ |
TO-220AB |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
FUJI |
18+ |
TO-220F-2 |
900 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FUJI |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
FUJITSU |
23+ |
TO220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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YG971S8R 芯片相关型号
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- 12_TNC-50-0-1133_NE
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- 6612
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- P4KE56
- PAP-08V-S
- RT7736
- RT7736BGE
- RT7736EGE
- RT7736FGE
- RT7736GGE
- RT7736LGE
- RT7736RGE
- RT8816A
- RT8816AGQW
- SQT-150-LEAD-L-6-RA
- SQT-150-LEAD-L-D-RA
- SQT-150-LEAD-L-Q-RA
- SQT-150-LEAD-L-R-RA
- SQT-150-LEAD-L-S-RA
- TA8263BHQ
- UUL0J101MCL1GS
- UUL0J470MCL1GS
- UUL0J471MNL1GS
- YG971S6R
- YG972S6R
ISC相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P95
- P96
- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26426条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
