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YG875C20R中文资料
YG875C20R数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.
·Low Leakage Current.
·High Current Capability, High Efficiency.
·High Junction Temperature Capability.
YG875C20R产品属性
- 类型
描述
- 型号
YG875C20R
- 制造商
FUJI
- 制造商全称
Fuji Electric
- 功能描述
Ultra Low IR Schottky Barrier Diode
更新时间：2025-10-10 11:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT89 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
FUJITSU/富士通 |
22+ |
TO-220F |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
FUJITSU/富士通 |
23+ |
TO-220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
FUJI |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
FUJI/富士电机 |
23+ |
N/A |
11550 |
FUJI/富士电机系列在售 |
|||
FUJI/富士电机 |
24+ |
ROHS |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FUJI/富士电机 |
23+ |
N/A |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
富士通FUJITSU |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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- SQT-102-LEAD-L-D-RA
- SQT-102-LEAD-L-Q-RA
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Datasheet数据表PDF页码索引
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