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YG868C12R中文资料
YG868C12R数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.
·Low Leakage Current.
·High Current Capability, High Efficiency.
·High Junction Temperature Capability.
YG868C12R产品属性
- 类型
描述
- 型号
YG868C12R
- 制造商
FUJI
- 制造商全称
Fuji Electric
- 功能描述
High Voltage Schottky barrier diode
更新时间：2025-6-1 16:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI |
24+ |
T0-220 |
450 |
||||
FUJI |
2016+ |
TO-220 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
FUJITSU/富士通 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FUJITSU/富士通 |
22+ |
TO-220F |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
富士通FUJITSU |
23+ |
TO-220F |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
FUJI |
5 |
TO-220F |
153 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FUJITSU/富士通 |
24+ |
NA/ |
4561 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
富士通FUJITSU |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
FUJI/富士电机 |
23+ |
N/A |
11550 |
FUJI/富士电机系列在售 |
|||
FUJI/富士电机 |
23+ |
N/A |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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- P97
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
