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YG865C04R中文资料
YG865C04R数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.
·Low Leakage Current.
·High Current Capability, High Efficiency.
·High Junction Temperature Capability.
YG865C04R产品属性
- 类型
描述
- 型号
YG865C04R
- 制造商
FUJI
- 制造商全称
Fuji Electric
- 功能描述
Low IR Schottky barrier diode
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI进口原 |
17+ |
TO220F-3 |
6200 |
||||
FUJITSU/富士通 |
1926+ |
TO-220F220 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
FUJI |
20+ |
TO220F-3 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
FUJI/富士电机 |
23+ |
TO220F-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FUJITSU/富士通 |
24+ |
TO-220F |
900 |
原装现货假一赔十 |
|||
FUJITSU |
11+10+13+ |
TO-220F |
17500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FUJI |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
FUJITSU/富士通 |
24+ |
NA/ |
4840 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
FUJI/富士电机 |
23+ |
N/A |
11550 |
FUJI/富士电机系列在售 |
|||
FUJ |
23+24 |
TO220F |
17735 |
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC |
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- 833-056-524-208
- 833-056-524-212
- 833-056-558-802
- 833-056-558-803
- 833-056-558-804
- 833-056-558-807
- 833-056-558-808
- 833-056-558-812
- 9301C
- ADP1873-0.3-EVALZ
- AHXG.106
- C3460
- C3467
- P6SMB47A
- SMBJ170CA
- SMCJ16CA
- SMCJ85CA
- UA78L08ACLPRE3
- YG865C06R
- YG865C08R
- YG865C10R
- YG865C12R
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售