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TK12E60W中文资料

厂家型号

TK12E60W

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

数据手册

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生产厂商

ISC

TK12E60W数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID=11.5A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) =0.3Ω(Max)

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

TK12E60W产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TK12E60W

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 16:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Toshiba
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TK12E60W,S1VX(S 价格

参考价格:¥6.6405

型号:TK12E60W,S1VX(S 品牌:TOS 备注:这里有TK12E60W多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,TK12E60W批发/采购报价,TK12E60W行情走势销售排排榜,TK12E60W报价。

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